SYSCOM
MOSFET Canal-N, 200 Volt, 18 A, TO-220AB.
Modelo: IRF-640
SAT: 32101500
3 años de garantía
Características principales
- Conmutación de alta velocidad para circuitos de potencia eficientes
- Disipación térmica de 125 W para aplicaciones de alta carga
- Encapsulado TO-220AB compatible con disipadores estándar
- Operación confiable en rangos de 200 V para equipos industriales
- Baja resistencia de canal para reducción de pérdidas energéticas
- Control de carga de 18 A en fuentes de alimentación conmutadas
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Descripción
Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación máxima de potencia de 125 W garantiza estabilidad térmica en condiciones de carga elevada. El encapsulado TO-220AB facilita la instalación mecánica y la conexión a disipadores de calor convencionales, optimizando la gestión térmica en diseños compactos.
Características Generales
- • Tipo: MOSFET Canal N
- • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
- • Corriente continua de drenaje (ID): 18 A
- • Disipación de potencia máxima (PD): 125 W
- • Encapsulado: TO-220AB
- • Aplicación: Conmutación de alta velocidad
Desempeño Eléctrico
- Voltaje drenaje-fuente: 200 V
- Corriente de drenaje: 18 A
- Disipación de potencia: 125 W
Físicas y Térmicas
- Encapsulado: TO-220AB
- Montaje: Through-hole con orificio
- Compatible con disipadores estándar
Contenido del Paquete
- 1 × Transistor MOSFET IRF640